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Implementing integrated circuit chip attach in three dimensional stack using vapor deposited solder Cu pillars

机译：使用气相沉积的焊料Cu柱实现三维堆叠中的集成电路芯片连接

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摘要

A method and structures are provided for implementing individual integrated circuit chip attach in a three dimensional (3D) stack. A plurality of hollow copper pillars is formed, and the hollow copper pillars are coated with lead free solder using vapor deposition.

机译：提供了一种用于在三维（3D）堆叠中实现各个集成电路芯片附接的方法和结构。形成多个中空铜柱，并使用气相沉积法将中空铜柱涂覆无铅焊料。

著录项

公开/公告号US9299591B1

专利类型
公开/公告日2016-03-29

原文格式PDF
申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;
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申请/专利号US201514698224
发明设计人 KARL STATHAKIS;ARVIND K. SINHA;PHILLIP V. MANN;KEVIN M. OCONNELL;
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申请日2015-04-28
分类号H01L21/44;H01L21/48;H01L23/00;H01L25/065;
国家 US
入库时间 2022-08-21 14:29:02

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