退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:氮化镓GaN纳米晶粉的制备方法
公开/公告号PL223872B1
专利类型
公开/公告日2016-10-31
原文格式PDF
申请/专利权人 AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANISŁAWA STASZICA W KRAKOWIE;
申请/专利号PL20120399900
发明设计人 JERZY FRANCISZEK JANIK;MARIUSZ DRYGAŚ;MIROSŁAW BUĆKO;
申请日2012-07-11
分类号C01B21/06;C30B29/40;B82Y30/00;C30B25/00;
国家 PL
入库时间 2022-08-21 14:23:39
机译: 氮化物(GaN)结晶镓(GaN)的化学气相沉积方法(GaN)
机译: 氮化镓(GaN)和氮化镓(GaN)的气相生长方法
机译: 氮化镓(GaN)复合半导体晶体的制造方法以及氮化镓(GaN)复合半导体晶体的制造方法