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METHOD FOR MAKING P(VDF/TRFE) COPOLYMER LAYER SENSORS, AND CORRESPONDING SENSOR

机译:P(VDF / TRFE)共聚物层传感器的制造方法及对应的传感器

摘要

The invention relates to the manufacture of a matrix sensor usinga sensitive layer of a ferroelectric P(VDF/TrFE) copolymer, deposited on anintegrated circuit (10, 12, 13).In order to simplify the manufacture and improve the yields,deposited first on the integrated circuit is a first layer of titanium (116)and itis etched in order to form a matrix array of electrodes electrically connectedto the integrated circuit; next, a P(VDF/TrFE) copolymer comprising a smallproportion of around 1 to 10% of a second polymer that favors the adhesionof the P(VDF/TrFE) copolymer is deposited on the integrated circuit; thepolymer is either underneath the P(VDF/TrFE) or blended therewith. Thecopolymer and its adhesion promoter are etched in a single step, and finallya second conductive layer (120) is deposited and it is etched in order to forma counter electrode for the whole of the matrix array.Application: ultrasonic image sensors.
机译:本发明涉及使用铁电P(VDF / TrFE)共聚物的敏感层,沉积在集成电路(10、12、13)。为了简化制造并提高产量,首先沉积在集成电路上的是钛的第一层(116)而且它蚀刻以形成电连接的电极矩阵阵列到集成电路;接下来,是一种P(VDF / TrFE)共聚物,其中含有少量约1至10%的第二种聚合物有助于粘合P(VDF / TrFE)共聚物的一部分沉积在集成电路上;的聚合物位于P(VDF / TrFE)之下或与其共混。的一步蚀刻共聚物及其粘合促进剂,最后沉积第二导电层(120)并对其进行蚀刻以便形成整个矩阵阵列的对电极。应用:超声波图像传感器。

著录项

  • 公开/公告号CA2709809C

    专利类型

  • 公开/公告日2016-06-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 E2V SEMICONDUCTORS;

    申请/专利号CA20082709809

  • 申请日2008-12-11

  • 分类号H01L37/02;H01L41/45;

  • 国家 CA

  • 入库时间 2022-08-21 14:21:50

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