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TECHNIQUES FOR ACCESSING A DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY

机译:动态随机访问存储器阵列的访问技术

摘要

Examples are disclosed for accessing a dynamic random access memory (DRAM) array. In some examples, sub-arrays of a DRAM bank may be capable of opening multiple pages responsive to a same column address strobe. In other examples, sub-arrays of a DRAM bank may be arranged such that input/output (IO) bits may be routed in a serialized manner over an IO wire. For these other examples, the IO wire may pass through a DRAM die including the DRAM bank and/or may couple to a memory channel or bus outside of the DRAM die. Other examples are described and claimed.
机译:公开了用于访问动态随机存取存储器(DRAM)阵列的示例。在一些示例中,DRAM组的子阵列可能能够响应于相同的列地址选通而打开多个页面。在其他示例中,可以布置DRAM组的子阵列,以便可以以串行方式在IO导线上路由输入/输出(IO)位。对于这些其他示例,IO线可以穿过包括DRAM存储体的DRAM管芯和/或可以耦合到DRAM管芯外部的存储器通道或总线。描述并要求保护其他示例。

著录项

  • 公开/公告号EP3084767A4

    专利类型

  • 公开/公告日2017-07-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTEL CORPORATION;

    申请/专利号EP20140872245

  • 发明设计人 YEH JEN-CHIEH;LUO PEI-WEN;SCHAEFER ANDRE;

    申请日2014-11-06

  • 分类号G11C11/4063;G11C11/409;G11C5/06;G11C11/4093;G11C7/10;G11C8/12;G11C8/10;G11C11/4076;G11C11/408;G11C11/4096;G11C11/4097;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 14:06:11

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