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机译:耗尽型电荷倍增CCD图像传感器
公开/公告号JP6130639B2
专利类型
公开/公告日2017-05-17
原文格式PDF
申请/专利权人 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー;
申请/专利号JP20120211191
发明设计人 クリストファー パークス;
申请日2012-09-25
分类号H01L27/148;H04N5/357;H04N5/372;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 13:56:31
机译: 耗尽电荷倍增CCD图像传感器
机译: 电荷倍增的CCD图像传感器