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Method of regenerating anode, method of producing indium hydroxide powder, method of producing indium oxide powder, and method of manufacturing sputtering target

机译:阳极的再生方法,氢氧化铟粉末的制造方法,氧化铟粉末的制造方法以及溅射靶的制造方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To regenerate an anode of high purity.SOLUTION: An anode after used, molten indium, in which indium 99.995%is molten in a quantity corresponding to a reduction consumed by electrolysis, and from which a gas component is removed, and a solid chloride agent of 1 mass % or more and 3 mass % or less with respect to the anode quantity after use, and a solid chloride to eliminate an impurity from the molten indium. The molten indium having an impurity removed is poured into a mold thereby to cast an anode of a purity of 99.995% having the gas component removed.SELECTED DRAWING: Figure 1
机译:解决的问题:要再生高纯度的阳极。解决方案:使用后的阳极是熔融的铟,其中铟99.995%的熔融量与电解消耗的还原量相对应,并除去了气体成分,相对于使用后的负极量,为相对于阳极量为1质量%以上且3质量%以下的固体氯化物,以及用于从熔融铟中除去杂质的固体氯化物。将已除去杂质的熔融铟倒入模具中,从而铸造出纯度为99.995%且除去了气体成分的阳极。抽选图:图1

著录项

  • 公开/公告号JP6222067B2

    专利类型

  • 公开/公告日2017-11-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 住友金属鉱山株式会社;

    申请/专利号JP20140250087

  • 发明设计人 菅本 憲明;森本 敏夫;加茂 哲郎;

    申请日2014-12-10

  • 分类号C22B58/00;B22D21/00;C25B1/00;C25B15/00;C25B11/04;B22D1/00;C01G15/00;C23C14/34;C22B9/10;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 13:56:19

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