首页> 外国专利> P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR, COMPOSITION FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR, METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR ELEMENT, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR, COMPOSITION FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR, METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR ELEMENT, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

机译：P型氧化物半导体，用于制造P型氧化物半导体的组合物，用于制造P型氧化物半导体的方法，半导体元件，显示元件，图像显示装置和系统

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

A p-type oxide semiconductor, which contains: a metal oxide containing thallium (Tl), where the metal oxide has been hole doped.

机译：一种p型氧化物半导体，其包含：包含th的金属氧化物（Tl），其中该金属氧化物已被空穴掺杂。

著录项

公开/公告号US2017301738A1

专利类型
公开/公告日2017-10-19

原文格式PDF
申请/专利权人 RICOH COMPANY LTD.;
展开▼

申请/专利号US201415107160
发明设计人 YUKIKO ABE;NAOYUKI UEDA;YUKI NAKAMURA;SHINJI MATSUMOTO;YUJI SONE;RYOICHI SAOTOME;SADANORI ARAE;
展开▼

申请日2014-12-16
分类号H01L27/32;H01L29/861;H01L51/50;G09G3/3225;H01L29/786;H01L27/32;G09G3/38;G09G3/34;G09G3/34;G09G3/36;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:52:13

相似文献

专利
外文文献
中文文献