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SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE THAT VARIES VOLTAGE LEVELS DEPENDING ON WHICH OF DIFFERENT MEMORY REGIONS THEREOF IS ACCESSED

机译:可访问取决于其不同存储区域的各种电压水平的半导体存储设备

摘要

A semiconductor memory device includes a semiconductor memory chip including a plurality of regions of memory cells, including a first memory region and a second memory region, and a memory controller configured to carry out a read of a memory cell in the first memory region by applying a first read voltage, and a read of a memory cell in the second memory region by applying a second read voltage that is different from the first read voltage.
机译:半导体存储器件包括:半导体存储芯片,其包括多个存储单元区域,包括第一存储区域和第二存储区域;以及存储控制器,被配置为通过施加以下操作来执行对第一存储区域中的存储单元的读取:第一读取电压,以及通过施加与第一读取电压不同的第二读取电压来读取第二存储区域中的存储单元。

著录项

  • 公开/公告号US2017117032A1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA;

    申请/专利号US201615066944

  • 发明设计人 KAZUTAKA TAKIZAWA;MASAAKI NIIJIMA;

    申请日2016-03-10

  • 分类号G11C11/4091;G11C11/406;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:49:43

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