首页> 外国专利> Semiconductor nano/microlaser tuning by strain engineering

Semiconductor nano/microlaser tuning by strain engineering

机译:通过应变工程进行半导体纳米/微激光调谐

摘要

A method for tuning the lasing wavelength of a semiconductor nano/microlaser uses mechanical strain to change the bandgap of the semiconductor material and the lasing wavelength. The method enables broad, dynamic, and reversible spectral tuning of single nano/microlasers with subnanometer resolution.
机译:用于调整半导体纳米/微激光器的激光波长的方法使用机械应变来改变半导体材料的带隙和激光波长。该方法能够以亚纳米分辨率对单个纳米/微激光器进行广泛,动态和可逆的光谱调谐。

著录项

  • 公开/公告号US2016365705A1

    专利类型

  • 公开/公告日2016-12-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SANDIA CORPORATION;

    申请/专利号US201514737222

  • 发明设计人 SHENG LIU;GEORGE T. WANG;

    申请日2015-06-11

  • 分类号H01S5/32;H01S5/327;H01S5/20;H01S5/323;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:49:24

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号