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Small wafer area MEMS switch

机译:小晶圆面积MEMS开关

摘要

Deep via technology is used to construct an integrated silicon cantilever and cavity oriented in a vertical plane which creates an electrostatically-switched MEMS switch in a small wafer area. Another embodiment is a small wafer area electrostatically-switched, vertical-cantilever MEMS switch wherein the switch cavity is etched within a volume defined by walls grown internally within a silicon substrate using through vias.
机译:深度过孔技术用于构建集成的硅悬臂和垂直于平面的腔体,从而在较小的晶圆区域内产生静电开关的MEMS开关。另一个实施例是小晶片面积的静电开关,垂直悬臂MEMS开关,其中,开关腔在通孔的作用下在硅基板内部内部生长的壁所限定的体积内被蚀刻。

著录项

  • 公开/公告号US9758366B2

    专利类型

  • 公开/公告日2017-09-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BUCKNELL C. WEBB;

    申请/专利号US201514969329

  • 发明设计人 BUCKNELL C. WEBB;

    申请日2015-12-15

  • 分类号H01L21/00;H01L43/14;H01L43/10;B81C1/00;B81B3/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:48:59

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