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System including hierarchical memory modules having different types of integrated circuit memory devices

机译:包括具有不同类型的集成电路存储设备的分层存储模块的系统

摘要

Volatile memory devices may be on a first memory module that is coupled to a memory controller by a first signal path. A nonvolatile memory device may be on a second memory module that is coupled to the first memory module by a second signal path. A memory transaction for the nonvolatile memory device may be transferred from the memory controller to at least one of the volatile memory devices using the first signal path and data associated with the memory transaction is to be written from at least one of the volatile memory devices to the nonvolatile memory device using the second signal path and a control signal. A defect circuit may generate the control signal in view of a detection of a defect in the nonvolatile memory device based on a comparison of a test value read from a memory location to a stored value.
机译:易失性存储设备可以在通过第一信号路径耦合到存储控制器的第一存储模块上。非易失性存储设备可以在第二存储模块上,该第二存储模块通过第二信号路径耦合到第一存储模块。可以使用第一信号路径将用于非易失性存储设备的存储事务从存储控制器传送到至少一个易失性存储设备,并且与该存储事务相关联的数据将从至少一个易失性存储设备写入到其中。非易失性存储器件使用第二信号路径和控制信号。缺陷电路可以基于从存储位置读取的测试值与存储值的比较,考虑到对非易失性存储装置中的缺陷的检测,来生成控制信号。

著录项

  • 公开/公告号US9767918B2

    专利类型

  • 公开/公告日2017-09-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RAMBUS INC.;

    申请/专利号US201615282932

  • 发明设计人 CRAIG HAMPEL;MARK HOROWITZ;

    申请日2016-09-30

  • 分类号G06F12;G11C29/12;G06F12/08;G06F12/0804;G06F12/0846;G06F13/16;G11C5/04;G11C7/10;G11C29;G06F3/06;G06F12/0897;G11C29/32;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:46:59

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