首页> 外国专利> Low cost demos transistor with improved CHC immunity

Low cost demos transistor with improved CHC immunity

机译:低成本演示晶体管,具有增强的CHC抗扰性

摘要

An integrated circuit and method includes a DEMOS transistor with improved CHC reliability that has a lower resistance surface channel under the DEMOS gate that transitions to a lower resistance subsurface channel under the drain edge of the DEMOS transistor gate.
机译:一种集成电路和方法,包括具有改善的CHC可靠性的DEMOS晶体管,该DEMOS晶体管在DEMOS栅极下方具有较低电阻表面沟道,该较低电阻表面沟道过渡到在DEMOS晶体管栅极的漏极边缘下方的较低电阻次表面沟道。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号