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Stack bank type semiconductor memory apparatus capable of improving alignment margin

机译:能够提高对准余量的堆叠库型半导体存储装置

摘要

A semiconductor memory apparatus is capable of improving the alignment margin for a bank and sufficiently ensuring a space for forming a global input/output line. The semiconductor memory apparatus includes a stack bank structure having at least two sub-banks continuously stacked without disconnection of data signal lines, and a control block arranged at one side of the stack bank structure to simultaneously control column-related signals of the sub-banks.
机译:半导体存储装置能够提高存储体的对准余量,并充分确保用于形成全局输入/输出线的空间。该半导体存储装置包括:具有至少两个连续的子存储体的堆叠存储体结构,该子存储体在不断开数据信号线的情况下连续堆叠;以及控制块,其布置在该堆叠存储体结构的一侧,以同时控制这些子存储体的列相关信号。 。

著录项

  • 公开/公告号US9502078B2

    专利类型

  • 公开/公告日2016-11-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SK HYNIX INC.;

    申请/专利号US201514831088

  • 申请日2015-08-20

  • 分类号G11C5/02;G11C8/10;G11C7/10;G11C5/06;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:41:45

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