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Open block source bias adjustment for an incompletely programmed block of a nonvolatile storage device

机译:非易失性存储设备中未完全编程的块的开块源偏置调整

摘要

Apparatuses, systems, methods, and computer program products are disclosed for adjusting a voltage level for a write operation on a partially programmed block of a nonvolatile storage device. A write module receives a request to perform a write operation for one or more storage cells of an partially programmed block of a nonvolatile storage device. A characteristic module determines whether a characteristic for a partially programmed block of a nonvolatile storage device satisfies a threshold. A voltage adjustment module adjusts a voltage level applied to one or more source lines connected to the one or more storage cells during a write operation in response to determining a characteristic satisfies a threshold.
机译:公开了用于为非易失性存储设备的部分编程的块上的写操作调节电压电平的设备,系统,方法和计算机程序产品。写入模块接收对非易失性存储设备的部分编程的块的一个或多个存储单元执行写入操作的请求。特征模块确定非易失性存储设备的部分编程的块的特征是否满足阈值。电压调整模块响应于确定特性满足阈值而在写操作期间调整施加到连接到一个或多个存储单元的一条或多条源线的电压电平。

著录项

  • 公开/公告号US9564233B1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-02-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SANDISK TECHNOLOGIES INC.;

    申请/专利号US201615061919

  • 发明设计人 JUN WAN;HOON CHO;YANJIE WANG;

    申请日2016-03-04

  • 分类号G11C11/34;G11C16/16;G11C16/26;G11C16/34;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:41:20

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