首页> 外国专利> 200W POWER AMPLIFIER FOR PULSED RADAR USING GaN FET

200W POWER AMPLIFIER FOR PULSED RADAR USING GaN FET

机译:使用GaN FET的200W脉冲雷达功率放大器

摘要

A 200W power amplifier for a pulsed radar using a GaN FET is provided. A power amplifier according to an embodiment of the present invention includes a distribution circuit for input signal divergence, an amplification circuit for amplifying the diverged input signal by using GaN FETs and a coupling circuit coupling amplified input signals in the amplification circuit. Thus, the efficiency of the amplifier can be improved by applying a GaN semiconductor device which is easy to achieve high frequency, high output, and high efficiency.;COPYRIGHT KIPO 2017
机译:提供了使用GaN FET的用于脉冲雷达的200W功率放大器。根据本发明实施例的功率放大器包括:用于输入信号发散的分配电路;用于通过使用GaN FET来放大发散的输入信号的放大电路;以及在放大电路中耦合放大的输入信号的耦合电路。因此,通过应用易于实现高频,高输出和高效率的GaN半导体器件可以提高放大器的效率。; COPYRIGHT KIPO 2017

著录项

  • 公开/公告号KR20170077330A

    专利类型

  • 公开/公告日2017-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE;

    申请/专利号KR20150187099

  • 发明设计人 YOO CHAN SEIKR;

    申请日2015-12-28

  • 分类号H03F1/56;H03F1/02;H03F3/60;H03F3/68;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 13:27:04

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号