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Thiolated ligand conjugated MoS2 Chemiresistor gas sensor and fabrication method thereof

机译:硫代配体共轭MoS 2化学电阻气体传感器及其制备方法

摘要

The present invention relates to a chemically resist gas sensor including a ligand-bonded MoS 2 film containing a thiol group, a method for producing the same, and a method for detecting various gas molecules using the same. A ligand-bonded MoS 2 film or MoS 2 film containing a thiol group laminated on the substrate; The present invention relates to a chemically resistive gas sensor including electrodes formed on both sides of the film, a method of manufacturing the same, and a method of detecting various gas molecules using the same. The gas sensor according to the present invention has excellent sensitivity and accuracy.
机译:化学抗蚀剂气体传感器,其制造方法以及使用其检测各种气体分子的方法技术领域本发明涉及一种化学抗蚀剂气体传感器,其包括含有硫醇基的配体键合的MoS 2 膜,其制造方法以及使用该传感器检测各种气体分子的方法。配体键合的MoS 2 膜或MoS 2 膜,在基体上含有巯基。化学电阻气体传感器技术领域本发明涉及一种在膜的两面上形成有电极的化学电阻气体传感器,其制造方法以及使用该传感器检测各种气体分子的方法。根据本发明的气体传感器具有优异的灵敏度和准确性。

著录项

  • 公开/公告号KR101751500B1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-06-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 한국과학기술원;

    申请/专利号KR20150019613

  • 发明设计人 정희태;김종선;유해욱;

    申请日2015-02-09

  • 分类号G01N27/407;A61B5/08;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 13:25:17

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