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机译:在低成核位点密度衬底上形成石墨烯单晶域的方法
公开/公告号US10072355B2
专利类型
公开/公告日2018-09-11
原文格式PDF
申请/专利权人 BOARD OF REGENTS THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM;
申请/专利号US201414252953
发明设计人 RODNEY S. RUOFF;LUIGI COLOMBO;YUFENG HAO;
申请日2014-04-15
分类号C30B25/18;C30B29/02;C30B33/02;C01B32/186;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:06:18
机译: 在成核不友好基质中定义的阵列成核位点(SCANS)上单晶生长的方法和产物
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