首页> 外国专利> Methods of forming graphene single crystal domains on a low nucleation site density substrate

Methods of forming graphene single crystal domains on a low nucleation site density substrate

机译:在低成核位点密度衬底上形成石墨烯单晶域的方法

摘要

A method of forming graphene single crystal domains on a carbon substrate is described.
机译:描述了在碳衬底上形成石墨烯单晶畴的方法。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号