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Use of heteroleptic indium hydroxides as precursors for INP nanocrystals

机译：杂合氢氧化铟作为INP纳米晶体的前体的用途

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摘要

The present invention is in the field of nanostructure synthesis. The present invention is directed to methods for producing nanostructures, particularly Group III-V semiconductor nanostructures. The present invention is also directed to preparing Group III inorganic compounds that can be used as precursors for nanostructure synthesis.

机译：本发明属于纳米结构合成领域。本发明涉及用于制备纳米结构，特别是III-V族半导体纳米结构的方法。本发明还涉及制备可用作纳米结构合成的前体的III族无机化合物。

著录项

公开/公告号US10029972B2

专利类型
公开/公告日2018-07-24

原文格式PDF
申请/专利权人 NANOSYS INC.;
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申请/专利号US201615348540
发明设计人 JOHN J. CURLEY;TIM SLUGOCKI;CHARLIE HOTZ;
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申请日2016-11-10
分类号C07C51/02;C09K11/08;C01B25/08;C09K11/70;C07C53/10;H01L21/02;C07F5;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:05:22

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