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Semiconductor apparatus with fake functionality

机译：具有假功能的半导体装置

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A semiconductor apparatus with fake functionality includes a logic device and at least one fake device. The logic device is formed on a substrate and turned on by a bias voltage. The fake device is also formed on the substrate. The fake device cannot be turned on by the same bias voltage applied on the logic device.

机译：具有伪造功能的半导体装置包括逻辑器件和至少一个伪造器件。逻辑器件形成在基板上并通过偏置电压导通。伪装置也形成在基板上。无法通过施加在逻辑设备上的相同偏置电压来打开伪设备。

著录项

公开/公告号US10090260B2

专利类型
公开/公告日2018-10-02

原文格式PDF
申请/专利权人 EMEMORY TECHNOLOGY INC.;
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申请/专利号US201615387609
发明设计人 HSIN-MING CHEN;LUN-CHUN CHEN;MENG-YI WU;CHIH-HAO HUANG;TUNG-CHENG KUO;
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申请日2016-12-21
分类号H01L23;H01L23/522;H01L27/088;H01L29/06;G11C16/14;H01L27/11507;H01L27/11529;H01L29/423;G06F7/58;G11C17/16;G11C17/18;G11C16/04;H01L27/11558;H01L49/02;H01L29/78;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:04:40

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