首页> 外国专利> Single die output power stage using trench-gate low-side and LDMOS high-side MOSFETs, structure and method

Single die output power stage using trench-gate low-side and LDMOS high-side MOSFETs, structure and method

机译:使用沟槽栅低侧和LDMOS高端MOSFET的单管芯输出功率级,结构和方法

摘要

A voltage converter includes an output circuit having a high-side device and a low-side device which can be formed on a single die (a “PowerDie”). The high-side device can include a lateral diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) while the low-side device can include a trench-gate vertical diffused metal oxide semiconductor (VDMOS). The voltage converter can further include a controller circuit on a different die which can be electrically coupled to, and co-packaged with the output circuit.
机译:电压转换器包括具有高端设备和低端设备的输出电路,该高端设备和低端设备可以形成在单个管芯上(“ PowerDie”)。高侧器件可以包括横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS),而低侧器件可以包括沟槽栅垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS)。电压转换器可以进一步包括在不同管芯上的控制器电路,该控制器电路可以电耦合至输出电路并与输出电路共同封装。

著录项

  • 公开/公告号US9876012B2

    专利类型

  • 公开/公告日2018-01-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTERSIL AMERICAS LLC;

    申请/专利号US201514954854

  • 发明设计人 FRANCOIS HEBERT;

    申请日2015-11-30

  • 分类号H01L27/088;H01L21/8234;H01L29/40;H01L21/265;H01L23/535;H01L23/62;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/66;H01L29/78;H02M7;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:56:03

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号