首页> 外国专利> Method of manufacturing thin-film transistor substrate including a copper alloy film

Method of manufacturing thin-film transistor substrate including a copper alloy film

机译：包括铜合金膜的薄膜晶体管基板的制造方法

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

A method of manufacturing a thin-film transistor (TFT) substrate including a thin-film transistor having a CuMn alloy film. The method includes controlling a contact resistance of a surface of the CuMn alloy film on the basis of a contact angle of the surface of the CuMn alloy film.

机译：一种制造包括具有CuMn合金膜的薄膜晶体管的薄膜晶体管（TFT）基板的方法。该方法包括基于CuMn合金膜的表面的接触角来控制CuMn合金膜的表面的接触电阻。

著录项

公开/公告号US9824942B2

专利类型
公开/公告日2017-11-21

原文格式PDF
申请/专利权人 JOLED INC.;
展开▼

申请/专利号US201415304060
发明设计人 TOHRU SAITOH;
展开▼

申请日2014-12-22
分类号H01L21/66;H01L51/50;G09F9/30;H01L21/28;H01L29/786;H01L21/02;H01L21/441;H01L29/45;H01L29/66;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:55:21

相似文献

专利
外文文献
中文文献