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Approach for an area-efficient and scalable CMOS performance

机译:面积有效且可扩展的CMOS性能的方法

摘要

The invention provides the guided design approach to optimize the device performance for a best area-efficient layout footprint in a single-leg MOS device that is based on any of the SOI, SOS or SON technologies. The same design methodology does further cover any types of insulating and/or organic substrates that substitute the BOX or the Sapphire. The design methodology depends on a new proprietary device architecture that is also claimed in this patent. It allows the implementations of the design equations of the methodology.
机译:本发明提供了一种指导设计方法,以基于SOI,SOS或SON技术中的任何一种,在单腿MOS器件中优化器件性能以获得最佳的面积有效布局占用面积。相同的设计方法还可以覆盖替代BOX或蓝宝石的任何类型的绝缘和/或有机衬底。该设计方法取决于该专利中也要求保护的新的专有设备架构。它允许实现该方法的设计方程式。

著录项

  • 公开/公告号AU2016306045A1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AHMAD TARAKJI;

    申请/专利号AU20160306045

  • 发明设计人 TARAKJI AHMAD HOUSSAM;

    申请日2016-08-05

  • 分类号H01L21/336;H01L21/265;H01L29/10;H01L29/786;

  • 国家 AU

  • 入库时间 2022-08-21 12:45:32

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