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Sb-Te SPUTTERING TARGET OF SINTERED SB-TE-BASED ALLOY

机译:烧结SB-TE基合金的Sb-Te溅射靶

摘要

A sputtering target having an Sb content of 10 to 60 at%, a Te content of 20 to 60 at%, and the balance of at least one element selected from Ag, In and Ge and inevitable impurities, wherein the average particle diameter of the oxide is 0.5 m or less A Sb-Te based alloy sintered body sputtering target characterized by: It is an object of the present invention to improve the sputtering target structure of the Sb-Te based alloy sintered body, to prevent arcing at the time of sputtering, and to improve the thermal stability of the sputtering film.
机译:溅射靶,其Sb含量为10〜60at%,Te含量为20〜60at%,并且具有选自Ag,In和Ge以及不可避免的杂质中的至少一种元素的余量,其中,氧化物为0.5m以下Sb-Te系合金烧结体的溅射靶,其特征在于,本发明的目的是改善Sb-Te系合金烧结体的溅射靶的结构,以防止产生电弧。溅射,并提高溅射膜的热稳定性。

著录项

  • 公开/公告号KR20180052775A

    专利类型

  • 公开/公告日2018-05-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 제이엑스금속주식회사;

    申请/专利号KR20187012857

  • 发明设计人 고이도 요시마사;

    申请日2015-02-20

  • 分类号C23C14/34;C22C1/04;C22C12;C22C28;C23C14/06;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 12:40:02

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