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METHOD FOR DEPOSITING OXIDE FILM BY THERMAL ALD AND PEALD

机译:热ALD和PEALD沉积氧化膜的方法

摘要

A method for depositing an oxide film on a substrate by thermal ALD and PEALD includes the following steps: providing the substrate in a reaction chamber; depositing a first oxide film on the substrate by the thermal ALD in the reaction chamber; and continuously depositing a second oxide film on the first oxide film by the PEALD in the reaction chamber without destroying a vacuum. Accordingly, the present invention can substantially deposit the oxide film with high quality without damaging a lower film due to plasma.;COPYRIGHT KIPO 2018
机译:通过热ALD和PEALD在衬底上沉积氧化物膜的方法包括以下步骤:将衬底提供在反应室中;以及将衬底放置在反应室中。通过反应室中的热ALD在基板上沉积第一氧化膜;在反应室中通过PEALD在第一氧化膜上连续沉积第二氧化膜而不破坏真空。因此,本发明可以基本上高质量地沉积氧化膜而不会由于等离子体而损坏下部膜。; COPYRIGHT KIPO 2018

著录项

  • 公开/公告号KR20180092881A

    专利类型

  • 公开/公告日2018-08-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASM IP HOLDING B.V.;

    申请/专利号KR20180015817

  • 发明设计人 FUKAZAWA ATSUKI;FUKUDA HIDEAKI;

    申请日2018-02-08

  • 分类号H01L21/02;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 12:39:16

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