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FIELD PLATES ON TWO OPPOSED SURFACES OF A DOUBLE-BASE BIDIRECTIONAL BIPOLAR TRANSISTOR; DEVICES AND METHODS FOR SWITCHING

机译:双基双向双极性晶体管的两个相对表面上的场板;切换装置和方法

摘要

Dual-base two-sided bipolar power transistors which use an insulated field plate to separate the emitter/collector diffusions from the nearest base contact diffusion. This provides a surprising improvement in turn-off performance, and in breakdown voltage.
机译:使用绝缘场板将发射极/集电极扩散区与最近的基极接触扩散区分开的双基极双面双极型功率晶体管。这在关断性能和击穿电压方面提供了令人惊讶的改进。

著录项

  • 公开/公告号EP3155664B1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IDEAL POWER INC.;

    申请/专利号EP20150850860

  • 发明设计人 ALEXANDER WILLIAM C.;BLANCHARD RICHARD A.;

    申请日2015-10-13

  • 分类号H01L29/732;H01L29/40;H01L29/10;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/70;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 12:30:42

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