首页> 外国专利> GROUP III-V/ZINC CHALCOGENIDE ALLOYED SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS

GROUP III-V/ZINC CHALCOGENIDE ALLOYED SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS

机译:III-V / Z族硫族化物合金半导体量子点

摘要

A scalable method for the manufacture of narrow, bright, monodisperse, photo-luminescent quantum dots prepared in the presence of a Group II-VI molecular seeding cluster fabricated in situ from a zinc salt and a thiol or selenol compound. Exemplary quantum dots have a core containing indium, phosphorus, zinc and either sulfur or selenium.
机译:一种可伸缩的方法,用于制造在存在由锌盐和硫醇或硒醇化合物现场制备的II-VI组分子种子簇的情况下制备的窄,明亮,单分散的光致发光量子点。示例性量子点具有包含铟,磷,锌以及硫或硒的核。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号