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Antifuse physical non-replicatable function unit and associated control method

机译:反熔丝物理不可复制功能单元及相关控制方法

摘要

A non-volatile memory including memory cells is provided. Each of the memory cells includes a substrate, a floating gate structure, a select gate structure, and a first doped region. The floating gate structure is disposed on the substrate. The select gate structure is disposed on the substrate and located at one side of the floating gate structure. The first doped region is disposed in the substrate at another side of the floating gate structure. The first doped regions between two adjacent memory cells are adjacent to one another and separated from one another.
机译:提供了一种包括存储器单元的非易失性存储器。每个存储单元包括衬底,浮栅结构,选择栅结构和第一掺杂区。浮栅结构设置在基板上。选择栅结构设置在基板上并且位于浮栅结构的一侧。第一掺杂区在浮栅结构的另一侧设置在衬底中。两个相邻存储单元之间的第一掺杂区域彼此相邻并且彼此分离。

著录项

  • 公开/公告号JP6550664B2

    专利类型

  • 公开/公告日2019-07-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 力旺電子股▲ふん▼有限公司;

    申请/专利号JP20170198062

  • 发明设计人 ▲呉▼ 孟益;陳 信銘;

    申请日2017-10-11

  • 分类号H04L9/10;G11C17/16;G06F21/73;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 12:20:16

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