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Backside configured surface plasmonic structure for infrared photodetector and imaging focal plane array enhancement

机译:背面配置的表面等离子体结构,用于红外光电探测器和成像焦平面阵列增强

摘要

The invention relates to quantum dot and photodetector technology, and more particularly, to quantum dot infrared photodetectors (QDIPs) and focal plane array. The invention further relates to devices and methods for the enhancement of the photocurrent of quantum dot infrared photodetectors in focal plane arrays.
机译:本发明涉及量子点和光电探测器技术,更具体地,涉及量子点红外光电探测器(QDIP)和焦平面阵列。本发明进一步涉及用于增强焦平面阵列中的量子点红外光电探测器的光电流的装置和方法。

著录项

  • 公开/公告号US10326035B2

    专利类型

  • 公开/公告日2019-06-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 UNIVERSITY OF MASSACHUSETTS;

    申请/专利号US201715695716

  • 发明设计人 XUEJUN LU;GUIRU GU;PUMINUN VASINAJINDAKAW;

    申请日2017-09-05

  • 分类号H01L31/18;H01L31/0352;H01L27/144;H01L31/0232;H01L31/09;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:16:14

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