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Error injection for assessment of error detection and correction techniques using error injection logic and non-volatile memory

机译:错误注入,用于使用错误注入逻辑和非易失性存储器评估错误检测和纠正技术

摘要

A memory system includes a non-volatile memory unit, a content-addressable memory unit coupled to the non-volatile memory unit, and an error injection logic unit coupled to the non-volatile memory unit and the content addressable memory unit. The non-volatile memory unit is programmed to allow a first error injection onto a first data word using the error injection logic unit. The error injection logic in combination with the content addressable memory unit replaces a bit cell in the memory system. The memory system performs an evaluation of various error detection and correction techniques.
机译:一种存储系统,包括非易失性存储单元,耦合至非易失性存储单元的内容可寻址存储单元,以及耦合至非易失性存储单元和内容可寻址存储单元的错误注入逻辑单元。非易失性存储单元被编程为允许使用错误注入逻辑单元将第一错误注入到第一数据字上。错误注入逻辑与内容可寻址存储单元相结合,取代了存储系统中的位单元。该存储系统执行各种错误检测和纠正技术的评估。

著录项

  • 公开/公告号US10452505B2

    专利类型

  • 公开/公告日2019-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ADVANCED MICRO DEVICES INC.;

    申请/专利号US201715849071

  • 发明设计人 MICHAEL K. CIRAULA;

    申请日2017-12-20

  • 分类号G06F11/22;H03M13/01;G06F11/10;G06F11/34;G11C29/12;G06F11/07;G11C29/10;G06F9/30;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:16:03

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