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Sputtering target comprising Niamp;#x2014;P alloy or Niamp;#x2014;Ptamp;#x2014;P alloy and production method therefor

机译:包含Ni— P合金或Ni— Pt— P合金的溅射靶及其制造方法

摘要

A method of producing a Ni—P alloy sputtering target, wherein a Ni—P alloy having a P content of 15 to 21 wt % and remainder being Ni and unavoidable impurities is melted and atomized to prepare a Ni—P alloy atomized powder having an average grain size of 100 μm or less, the Ni—P alloy atomized powder is mixed with a pure Ni atomized powder, and the obtained mixed powder is hot pressed. An object of the present invention is to provide a method of producing a Ni—P alloy sputtering target which achieves a small deviation from an intended composition.
机译:一种制备Ni& P合金溅射靶的方法,其中将P含量为15-21wt%并且剩余为Ni和不可避免的杂质的Ni&P& P合金熔融并雾化以制备Ni—溅射合金。将平均粒径为100μm以下的P合金雾化粉末与纯Ni雾化粉末混合,将Ni&P合金雾化粉末进行热压。本发明的一个目的是提供一种生产Ni— P合金溅射靶的方法,该靶与目标组成的偏差很小。

著录项

  • 公开/公告号US10337100B2

    专利类型

  • 公开/公告日2019-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JX NIPPON MINING &METALS CORPORATION;

    申请/专利号US201515129450

  • 发明设计人 KAZUMASA OHASHI;KUNIHIRO ODA;

    申请日2015-03-12

  • 分类号C23C14/34;C23C14/14;G11B5/64;B22F5;B22F3/15;B22F9/08;H01J37/34;C22C19/03;G11B5/851;B22F1;C22C1/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:14:50

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