首页> 外国专利> Memory physical layer interface logic for generating dynamic random access memory (DRAM) commands with programmable delays

Memory physical layer interface logic for generating dynamic random access memory (DRAM) commands with programmable delays

机译:存储器物理层接口逻辑,用于生成具有可编程延迟的动态随机存取存储器(DRAM)命令

摘要

A plurality of registers implemented in association with a memory physical layer interface (PHY) can be used to store one or more instruction words that indicate one or more commands and one or more delays. A training engine implemented in the memory PHY can generate at-speed programmable sequences of commands for delivery to an external memory and to delay the commands based on the one or more delays. The at-speed programmable sequences of commands can be generated based on the one or more instruction words.
机译:与存储器物理层接口(PHY)相关联实现的多个寄存器可以用于存储指示一个或多个命令和一个或多个延迟的一个或多个指令字。在存储器PHY中实现的训练引擎可以生成全速可编程命令序列,以将其传送到外部存储器,并基于一个或多个延迟来延迟命令。可以基于一个或多个指令字来生成全速可编程命令序列。

著录项

  • 公开/公告号US10275386B2

    专利类型

  • 公开/公告日2019-04-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ADVANCED MICRO DEVICES INC.;

    申请/专利号US201414318065

  • 发明设计人 GLENN A. DEARTH;GERRY TALBOT;

    申请日2014-06-27

  • 分类号G06F13/16;G06F13/28;G06F13/42;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:13:20

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号