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Configurable pseudo dual port architecture for use with single port SRAM

机译:可配置的伪双端口架构,用于单端口SRAM

摘要

A memory array has word lines and bit lines. A row decoder is operable to decode a row address and select a corresponding word line. A read-write clock generator is operable to generate a hold clock signal. An address clock generator receives a read address, a write address, a dual port mode control signal, a read chip select signal, and a write chip select signal. When operating in dual port mode, and when operating in a read mode, the address clock generator applies a read delay to the read address and outputs the read address, as delayed, to the row pre-decoder as the address in response to the hold clock signal.
机译:存储器阵列具有字线和位线。行解码器可用于解码行地址并选择相应的字线。读写时钟发生器可操作以产生保持时钟信号。地址时钟发生器接收读地址,写地址,双端口模式控制信号,读芯片选择信号和写芯片选择信号。在双端口模式下运行时,在读取模式下运行时,地址时钟生成器将读取延迟应用于读取地址,并将已延迟的读取地址作为响应于保持的地址输出到行预解码器作为地址时钟信号。

著录项

  • 公开/公告号US10249363B2

    专利类型

  • 公开/公告日2019-04-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.;

    申请/专利号US201816018610

  • 发明设计人 ABHISHEK PATHAK;HARSH RAWAT;

    申请日2018-06-26

  • 分类号G11C7/22;G11C7/06;G11C11/419;G11C11/418;G06F1/06;G06F13/16;G11C7/10;G11C8/16;G11C11/413;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:10:38

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