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HIGH NA (NUMERICAL APERTURE) RECTANGULAR FIELD EUV CATOPTRIC PROJECTION OPTICS USING TILTED AND DECENTERED ZERNIKE POLYNOMIAL MIRROR SURFACES

机译:使用倾斜和衰减的Zernike多项式镜面的高NA(数值孔径)矩形EUV阴极投影光学

摘要

A catoptric system for EUV lithography includes six freeform reflective surfaces that are specified based on fringe Zernike polynomials. Each of the surfaces is tilted and/or decentered in a meridian plane and with respect to a common axis so that image and object planes are parallel. Rectangular fields can be imaged with image space numerical aperture of at least 0.5.
机译:用于EUV光刻的反射系统包括六个基于条纹Zernike多项式指定的自由形式的反射面。每个表面在子午平面中相对于公共轴倾斜和/或偏心,以使图像和物平面平行。矩形场的图像空间数值孔径至少为0.5。

著录项

  • 公开/公告号US2019113723A1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-04-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NIKON CORPORATION;

    申请/专利号US201816217933

  • 发明设计人 DAVID M. WILLIAMSON;

    申请日2018-12-12

  • 分类号G02B17/06;G03F7/20;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:09:09

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