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DRAM APPARATUS AND METHOD OF DEBUGGING POST SILICON USING ON-CHIP DRAM FOR MULTI-CORE DESIGN

机译:用于多核设计的使用片上DRAM的后置硅器件的DRAM装置和方法

摘要

The present invention relates to a technique for selectively debugging only data estimated to be an error in post silicon debugging in a multicore environment using an on-chip DRAM, wherein a method of debugging post silicon according to an embodiment includes: The method of claim 1, further comprising the steps of: generating golden data corresponding to the detected error intervals and uploading the generated golden data to a trace buffer to identify error intervals in the debug interval; And selectively debugging the error data corresponding to the error cycle.
机译:[0001]本发明涉及一种在片上DRAM中在多核环境中选择性地仅调试估计为错误的数据的技术,其中,根据实施例的调试后硅的方法包括:权利要求1的方法,还包括以下步骤:生成与检测到的错误间隔相对应的黄金数据,并将所生成的黄金数据上载到跟踪缓冲器以识别调试间隔中的错误间隔;以及并有选择地调试与错误周期相对应的错误数据。

著录项

  • 公开/公告号KR101958540B1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-03-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 연세대학교 산학협력단;

    申请/专利号KR20170013806

  • 发明设计人 강성호;오형교;

    申请日2017-01-31

  • 分类号G06F11/07;G06F11/36;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:48:59

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