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2D 2-D MATERIAL BASED WAVELENGTH SELECTIVE PHOTODETECTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

机译:基于二维二维材料的波长选择性光电检测器及其制造方法

摘要

The present invention relates to a heterojunction metal chalcogen complex. The heterojunction metal chalcogen complex comprises: a metal chalcogen thin film including a metal chalcogen compound 1; and a heterojunction layer formed on the metal chalcogen thin film and including a metal chalcogen compound 2. The metal chalcogen compound 1 is a compound different from the metal chalcogen compound 2. According to the heterojunction metal chalcogen complex, an electronic device including the same, and a manufacturing method of the heterojunction metal chalcogen complex, a color filter pre-image sensor absorbing light of different wavelengths based on one material may be manufactured by using the heterojunction metal chalcogen complex having different light absorption areas manufactured with low cost and a simple process.
机译:本发明涉及异质结金属硫属元素配合物。异质结金属硫属元素络合物包括:包含金属硫属元素化合物1的金属硫属元素薄膜;和包含金属硫属元素化合物1的金属硫属元素薄膜。金属硫属元素化合物1是与金属硫属元素化合物2不同的化合物。在该金属硫属元素薄膜上形成的异质结层包括金属硫属元素化合物2。以及异质结金属硫属元素化合物的制造方法,可以通过使用低成本且简单的工艺制造具有不同光吸收面积的异质结金属硫属元素化合物,来制造基于一种材料吸收不同波长的光的滤色器原像传感器。 。

著录项

  • 公开/公告号KR102031594B1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-10-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION;

    申请/专利号KR20180042625

  • 发明设计人 JEONG UNYONG;YANG HEESEUNG;

    申请日2018-04-12

  • 分类号H01L31/032;C09D125/06;C09D133/12;C09D167/04;H01L31/0216;H01L31/0256;H01L31/18;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:47:37

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