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Procedure for closing an access opening to a cavity and MEMS component with a closure element

机译:用封闭元件封闭通向空腔和MEMS组件的通道的步骤

摘要

A method (100) for closing an access opening (230) to a cavity (220) comprises the following steps: providing (120) a layer arrangement (221) with a first layer structure (210) and one disposed adjacent to the first layer structure (210) Cavity (220), the first layer structure (210) having an access opening (230) to the cavity (220); Performing (140) a CVD layer deposition to form a first cap layer (240) having a layer thickness (D) on the first layer structure (210) with the access opening (230); and performing (160) an HDP film deposition comprising first and second substeps of forming a second cap layer (250) on the first cap layer (240), wherein in the first substep depositing a liner material layer (250) on the first cap layer (12). 240), wherein in the second substep, a partial re-sputtering of the liner material layer (250) and further the first cover layer (240) in the region (230-A) of the access opening (230) takes place, and wherein the first and second substeps alternately and be repeated several times.
机译:用于封闭通向空腔(220)的进入开口(230)的方法(100)包括以下步骤:为层布置(221)提供(120)具有第一层结构(210)和与第一层相邻设置的层结构结构(210)腔(220),第一层结构(210)具有通向腔(220)的入口(230)。执行(140)CVD层沉积以在具有进入开口(230)的第一层结构(210)上形成具有层厚度(D)的第一盖层(240);以及执行(160)HDP膜沉积,包括在第一覆盖层(240)上形成第二覆盖层(250)的第一和第二子步骤,其中在第一子步骤中,在第一覆盖层上沉积衬里材料层(250) (12)。 240),其中在第二子步骤中,在进入孔(230)的区域(230-A)中对衬里材料层(250)以及第一覆盖层(240)进行了部分重新溅射,并且其中第一子步骤和第二子步骤交替进行并重复几次。

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