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TERAHERTZ CMOS SENSOR

机译:TERAHERTZ CMOS传感器

摘要

An imaging sensor for accepting terahertz signals, including a die made of a dielectric material, one or more antennas for receiving terahertz signals, positioned on top of the die or in an upper layer of the die, each antenna having a CMOS detector electrically coupled to the antenna and positioned in the die below the antenna, a metal shield layer in the die below the antennas and above the CMOS detectors, shielding the CMOS detector from interference signals, a shielding layer under the die comprising a back metal coating and/or a layer of silver epoxy glue for attaching the bottom of the die to a lead frame.
机译:一种用于接收太赫兹信号的成像传感器,包括由介电材料制成的裸片,一个或多个用于接收太赫兹信号的天线,其位于裸片的顶部或裸片的上层,每个天线均具有电耦合到其上的CMOS检测器天线并位于天线下方的裸片中,天线下方和CMOS检测器上方的裸片中有一个金属屏蔽层,用于屏蔽CMOS检测器免受干扰信号的影响,裸片下方的屏蔽层包括背面金属涂层和/或银环氧树脂胶层,用于将芯片的底部连接到引线框架。

著录项

  • 公开/公告号EP3276744B1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-08-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NETEERA TECHNOLOGIES LTD.;

    申请/专利号EP20170183150

  • 申请日2017-07-25

  • 分类号H01Q1/22;H01Q1/52;H01Q9/28;H01Q15/08;H01Q19/06;H01Q21/06;G01J5/08;G01J5/20;G01J3/42;G01J5/02;H01L27/146;H01Q19/10;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 11:42:41

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