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LARGE SINGLE CRYSTAL DIAMOND AND A METHOD OF PRODUCING THE SAME

机译:大单晶钻石及其制造方法

摘要

A method of producing a large single crystal diamond comprising of: (i) arranging two or more single crystal diamond substrates adjacent to one another in a diamond growth chamber, wherein each single crystal diamond substrate include at least 2 adjacent surfaces having different crystallographic orientations, (ii) using a diamond growth process, growing the single crystal diamond substrates in an upward growth direction as well as in a lateral growth direction.
机译:一种生产大型单晶金刚石的方法,该方法包括:(i)在金刚石生长室中将彼此相邻的两个或多个单晶金刚石基底排列,其中每个单晶金刚石基底包括至少两个具有不同晶体学取向的相邻表面, (ii)使用金刚石生长工艺,在向上生长方向以及横向生长方向上生长单晶金刚石基底。

著录项

  • 公开/公告号EP3615482A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SUNSET PEAK INTERNATIONAL LIMITED;

    申请/专利号EP20180789848

  • 发明设计人 MISRA DEVI SHANKER;

    申请日2018-04-27

  • 分类号C03B29/04;C30B25/20;B01J3/06;C01B32/25;C01B32/26;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 11:38:15

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