首页> 外国专利> X-RAY AND GAMMA-RAY PHOTODIODE

X-RAY AND GAMMA-RAY PHOTODIODE

机译:X射线和伽马射线光电二极管

摘要

A photodiode for use in detecting X-rays and/or gamma rays is disclosed. The photodiode comprises InGaP arranged and configured to absorb X-rays and/or gamma-rays incident on the photodiode and generate charge-carriers in response thereto. The detector may be provided in an X-ray or gamma-ray photon counting spectrometer.
机译:公开了一种用于检测X射线和/或伽马射线的光电二极管。光电二极管包括InGaP,其被布置和配置为吸收入射在光电二极管上的X射线和/或伽马射线,并响应于此而产生电荷载流子。该检测器可以设置在X射线或γ射线光子计数光谱仪中。

著录项

  • 公开/公告号EP3589983A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-01-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 THE UNIVERSITY OF SUSSEX;

    申请/专利号EP20180709732

  • 发明设计人 BARNETT ANNA MEGAN;BUTERA SILVIA;

    申请日2018-02-28

  • 分类号G01T1/24;H01L27/146;H01L31/117;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 11:38:02

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号