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X-Ray and Gamma-Ray Photodiode

机译:X射线和伽马射线光电二极管

摘要

A photodiode for use in detecting X-rays and/or gamma rays is disclosed. The photodiode comprises InGaP arranged and configured to absorb X-rays and/or gamma-rays incident on the photodiode and generate charge-carriers in response thereto. The detector may be provided in an X-ray or gamma-ray photon counting spectrometer.
机译:公开了一种用于检测X射线和/或伽马射线的光电二极管。光电二极管包括InGaP,其被布置和配置为吸收入射在光电二极管上的X射线和/或伽马射线,并响应于此而产生电荷载流子。该检测器可以设置在X射线或γ射线光子计数光谱仪中。

著录项

  • 公开/公告号US2020012001A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-01-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 THE UNIVERSITY OF SUSSEX;

    申请/专利号US201816489425

  • 发明设计人 ANNA MEGAN BARNETT;SILVIA BUTERA;

    申请日2018-02-28

  • 分类号G01T1/24;H01L31/0304;H01L31/115;H01L31/0203;H01L31/0224;H01L31/0352;G21H1/12;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:18:47

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