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Piezoelectric MEMS resonator with high Q value

机译:高Q值的压电MEMS谐振器

摘要

A MEMS resonator is provided with a high quality factor and lower motional impedance. The MEMS resonator includes a silicon layer having opposing surfaces, a piezoelectric layer above one of the surfaces of the silicon layer, and a pair of electrodes disposed on opposing surfaces of the piezoelectric layer, respectively. Moreover, the piezoelectric layer has a crystallographic axis that extends at an angle relative to the vertical axis of the MEMS resonator.
机译:MEMS谐振器具有高品质因数和较低的运动阻抗。 MEMS谐振器包括:具有相对表面的硅层;在硅层的一个表面上方的压电层;以及分别设置在压电层的相对表面上的一对电极。此外,压电层具有相对于MEMS谐振器的垂直轴成一定角度延伸的结晶轴。

著录项

  • 公开/公告号JP6756991B2

    专利类型

  • 公开/公告日2020-09-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社村田製作所;

    申请/专利号JP20180565016

  • 发明设计人 カーヤカリ ヴィレ;

    申请日2017-01-25

  • 分类号H03H9/24;H01L41/187;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 11:34:29

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