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Polycrystalline silicon crushed lump and method for producing the same

机译:多晶硅碎块及其制造方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain highly crushed polycrystalline silicon both tungsten and cobalt which inevitably cause contamination due to the material of a destruction tool. SOLUTION: The surface metal concentration is 15.0 pptw or less, preferably 7.0 to 13.0 pptw, and the surface tungsten concentration is 0.9 pptw or less, preferably 0.40 to 0 pptw. A crushed polycrystalline silicon mass having a density of 0.85 pptw and a surface cobalt concentration of 0.3 pptw or less, preferably 0.04 to 0.08 pptw. [Selection diagram] None
机译:要解决的问题:为了获得高度破碎的多晶硅,钨和钴都会被破坏工具的材料不可避免地引起污染。解决方案:表面金属浓度为15.0 pptw或以下,优选7.0至13.0 pptw,表面钨浓度为0.9 pptw或以下,优选0.40至0 pptw。压碎的多晶硅块,其密度为0.85 pptw,表面钴浓度为0.3 pptw或更小,优选为0.04至0.08 pptw。 [选择图]无

著录项

  • 公开/公告号JP6636225B1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-01-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社トクヤマ;

    申请/专利号JP20190549025

  • 发明设计人 西村 茂樹;

    申请日2019-03-25

  • 分类号C01B33/02;B02C25;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 11:32:41

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