首页> 外国专利> Controlling dry etch process characteristics using waferless dry clean optical emission spectroscopy

Controlling dry etch process characteristics using waferless dry clean optical emission spectroscopy

机译:使用无晶圆干式清洁光发射光谱法控制干法蚀刻工艺特性

摘要

Described herein are architectures, platforms and methods for acquiring optical emission spectra from an optical emission spectroscopy system by flowing a dry cleaning gas into a plasma processing chamber of the plasma processing system and igniting a plasma in the plasma processing chamber to initiate the waferless dry cleaning process.
机译:本文描述的是用于通过使干洗气体流入等离子处理系统的等离子处理室并在等离子处理室中点燃等离子以启动无晶圆干法清洗来从光发射光谱系统获取光发射光谱的体系结构,平台和方法。处理。

著录项

  • 公开/公告号US10773282B2

    专利类型

  • 公开/公告日2020-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOKYO ELECTRON LIMITED;

    申请/专利号US201715469303

  • 申请日2017-03-24

  • 分类号B08B7;B08B9/08;H01J37/32;H01L21/67;G01N21/73;G01N21/94;H01L21/66;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:31:16

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号