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Metrology guided inspection sample shaping of optical inspection results

机译:计量指导检查样品成形光学检查结果

摘要

Information from metrology tools can be used during inspection or review with a scanning electron microscope. Metrology measurements of a wafer are interpolated and/or extrapolated over a field, which creates modified metrology data. The modified metrology data is associated with defect attributes from inspection measurements of a wafer. A wafer review sampling plan is generated based on the defect attributes and the modified metrology data. The wafer review sampling plan can be used during review of a wafer using the scanning electron microscope.
机译:计量工具中的信息可在检查过程中或通过扫描电子显微镜检查时使用。晶片的计量测量值在一个字段上进行内插和/或外推,这会创建修改后的计量数据。修改的度量数据与来自晶片检查测量的缺陷属性相关联。根据缺陷属性和修改后的度量数据生成晶圆检查采样计划。可以在使用扫描电子显微镜检查晶片期间使用晶片检查采样计划。

著录项

  • 公开/公告号US10598617B2

    专利类型

  • 公开/公告日2020-03-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KLA-TENCOR CORPORATION;

    申请/专利号US201715671230

  • 申请日2017-08-08

  • 分类号G06K9;G01N23/2251;H01L21/66;G01N21/956;G01N21/88;G01N21/95;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:29:44

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