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Engineered barrier layer interface for high speed spin-transfer torque magnetic random access memory

机译:工程隔离层接口,用于高速自旋转移力矩磁性随机存取存储器

摘要

A perpendicular magnetic tunnel junction may include a free layer, a reference layer, and a barrier layer. The barrier layer may be arranged between the free layer and the reference layer. The barrier layer may include a first interface and a second interface. The first interface may face the free layer, and a second interface may face the reference layer. The first interface may not physically correlate with the second interface.
机译:垂直磁性隧道结可以包括自由层,参考层和势垒层。阻挡层可以布置在自由层和参考层之间。阻挡层可以包括第一界面和第二界面。第一界面可以面对自由层,第二界面可以面对参考层。第一接口可以与第二接口在物理上不相关。

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