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Nonvolatile memory device, operating method thereof, and data storage apparatus including the same

机译:非易失性存储装置,其操作方法以及包括该非易失性存储装置的数据存储设备

摘要

A nonvolatile memory device includes a memory cell array, a page buffer including a first latch configured to store data to be programmed in a first state, a second latch configured to store the data in a second state, and a third latch configured to store the data in a third state when the data is received from an external apparatus, and a control logic configured to control the page buffer to store the data of the first state in the first latch, the data of the second state in the second latch, and the data of the third state in the third latch when a multi-conversion program command and the data are received from the external apparatus.
机译:一种非易失性存储装置,包括:存储器单元阵列;页缓冲器,其包括:第一锁存器,配置为存储要在第一状态下编程的数据;第二锁存器,配置为以第二状态存储数据,第三锁存器,配置为存储第一状态。当从外部设备接收到数据时,数据处于第三状态;控制逻辑被配置为控制页面缓冲器以将第一状态的数据存储在第一锁存器中,将第二状态的数据存储在第二锁存器中,以及当从外部设备接收到多转换编程命令时,第三锁存器中的第三状态的数据和数据被接收。

著录项

  • 公开/公告号US10614863B2

    专利类型

  • 公开/公告日2020-04-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SK HYNIX INC.;

    申请/专利号US201815960742

  • 发明设计人 DO HYUN KIM;

    申请日2018-04-24

  • 分类号G11C7/10;H03K19/21;G11C29/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:26:30

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