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INTEGRATED CIRCUIT WITH DECOUPLING CAPACITOR IN A STRUCTURE OF THE TRIPLE WELL TYPE

机译:三井型结构中带去耦电容器的集成电路

摘要

A well of a first conductivity type is insulated from a substrate of the same first conductivity type by a structure of a triple well type. The structure includes a trench having an electrically conductive central part enclosed in an insulating sheath. The trench supports a first electrode of a decoupling capacitor, with a second electrode provided by the well.
机译:第一导电类型的阱通过三阱类型的结构与相同的第一导电类型的衬底绝缘。该结构包括具有包围在绝缘护套中的导电中心部分的沟槽。沟槽支撑去耦电容器的第一电极,第二电极由阱提供。

著录项

  • 公开/公告号US2020111801A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS;

    申请/专利号US201916708165

  • 发明设计人 ABDERREZAK MARZAKI;

    申请日2019-12-09

  • 分类号H01L27/11524;H01L27/06;H01L29/06;H01L27/11531;H01L29/94;H01L29/66;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:19:08

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