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SELECTOR USING SCHOTTKY DIODE OF INTERFACE WITH ELECTRODE AND PHASE CHANGE RANDOM ACCESS MEMORY INCLUDING THE SAME

机译:使用带有电极的肖特基二极管和相变随机存取存储器(包括相同的电极)进行选择

摘要

Disclosed is a selection element utilizing a Schottky diode characteristic of a contact interface with an electrode and a phase change memory element comprising the same. According to an embodiment, the phase change memory element includes: a first electrode; A second electrode; A phase change material layer interposed between the first electrode and the second electrode; And the phase change material layer using a Schottky diode characteristic of a contact interface with the one electrode while being disposed between the electrode of the first electrode or the second electrode and the phase change material layer. It includes a layer of semiconductor material that acts as a selection element for.
机译:公开了一种利用与电极的接触界面的肖特基二极管特性的选择元件以及包括该选择元件的相变存储元件。根据一个实施例,相变存储元件包括:第一电极;以及第二电极。第二电极;在第一电极和第二电极之间插入相变材料层。并且相变材料层利用肖特基二极管的特性,该肖特基二极管具有与一个电极的接触界面,同时被设置在第一电极或第二电极的电极与相变材料层之间。它包括一层用作选择元素的半导体材料。

著录项

  • 公开/公告号KR20200075536A

    专利类型

  • 公开/公告日2020-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 한양대학교 산학협력단;

    申请/专利号KR20180164317

  • 发明设计人 송윤흡;

    申请日2018-12-18

  • 分类号H01L27/24;H01L45;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:06:36

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