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METHOD OF PREPARING POLYMER INSULATOR THIN FILM USING INITIATED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND POLYMER INSULATOR THIN FILM PREPARED BY THE METHOD

机译:用化学气相沉积法制备聚合物绝缘薄膜的方法及用该方法制备的聚合物绝缘薄膜

摘要

The present invention relates to a technique for manufacturing a diacrylate-based polymer insulating film using an initiator chemical vapor deposition method (initiated chemical vapor deposition; iCVD), a chemical vapor deposition method using an initiator (initiated Synthesizing a diacrylate-based polymer using chemical vapor deposition (iCVD), using the synthesized cross-linking polymer as a blocking dielectric layer, and over the blocking dielectric layer And forming a polymer polymer through an iCVD process and depositing the polymer polymer on the blocking dielectric layer to form a polymer insulating layer exhibiting memory characteristics.
机译:技术领域本发明涉及使用引发剂化学气相沉积法(引发化学气相沉积; iCVD)制造基于二丙烯酸酯的聚合物绝缘膜的技术,使用引发剂的化学气相沉积法(使用化学方法来引发基于二丙烯酸酯的聚合物的合成)。气相沉积(iCVD),使用合成的交联聚合物作为阻挡介电层,并在阻挡介电层上方,并通过iCVD工艺形成聚合物聚合物,然后将聚合物聚合物沉积在阻挡介电层上以形成聚合物绝缘层表现出记忆特征。

著录项

  • 公开/公告号KR20200088101A

    专利类型

  • 公开/公告日2020-07-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 한국과학기술원;

    申请/专利号KR20190004673

  • 发明设计人 임성갑;박관용;이창현;

    申请日2019-01-14

  • 分类号H01L21/02;C23C16/452;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:06:21

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