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METHOD FOR MANUFACTURING NITROGEN DOPED GRAPHENE GAS SENSOR AND GAS SENSOR MADE BY THE SAME

机译：一种制造掺氮石墨烯气体传感器的方法及由该方法制造的气体传感器

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摘要

The present invention relates to a method for manufacturing a graphene gas sensor doped with nitrogen and a gas sensor manufactured therefrom. The present invention is to form a graphene, doping the graphene with nitrogen; And applying graphene to the micro heater installed on the substrate.

机译：本发明涉及一种掺杂有氮的石墨烯气体传感器的制造方法以及由其制造的气体传感器。本发明是要形成石墨烯，用氮掺杂石墨烯。然后将石墨烯应用于安装在基板上的微型加热器。

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公开/公告号KR102090587B1

专利类型
公开/公告日2020-04-28

原文格式PDF
申请/专利权人 우석대학교 산학협력단;
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申请/专利号KR20180018231
发明设计人 맹성렬;이재권;
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申请日2018-02-14
分类号G01N27/414;G01N27/12;G01N33;H01L41/39;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 11:05:06

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